Laut dem Inquirer will noch heute IBM die Zukunft von Halbleitern einläuten und eine neue Basis für selbige vorstellen.
Die Chips der nächsten Generation auf Silizium-Germanium Basis sollen doppelt so hohe Geschwindigkeiten erreichen, wie bisherige Halbleiter auf gleicher Basis. Von 200 GHz als Maximaltakt ist die Rede. Im Gegensatz zu normaler Silizium-Technik bieten die SiGe-Chips neben höherer Geschwindigkeit auch weitergehende Möglichkeiten weniger Energie zum Betrieb zu benötigen. So bietet sich, laut IBM, die neue Technologie besonders für Handhelds und Mobiltelefone mit GPS und Wi-Fi (wireless fidelity) Funktionen an, die so günstiger angeboten werden könnten. Die Chips können auch für Kurzstrecken-Radar-Systeme (SRR) in Autos verwendet werden um diese sicherer zu machen. SiGe-Chips können an der Stoßstange angebracht werden, um etwa den Fahrer zu warnen, wenn er einem Hindernis zu nahe kommt.
"Die Silizium-Germanium-Technologie wird für eine Reihe von Entwicklungen der nächsten Jahre sehr wichtig sein und kabellose Verbindungen weltweit ermöglichen." kommentiert Bernie Meyerson von IBM die Relevanz dieser neuen Chips.
Nur angemeldete Benutzer können kommentieren und bewerten.
Dein Kommentar wurde nicht gespeichert. Dies kann folgende Ursachen haben:
1. Der Kommentar ist länger als 4000 Zeichen.
2. Du hast versucht, einen Kommentar innerhalb der 10-Sekunden-Schreibsperre zu senden.
3. Dein Kommentar wurde als Spam identifiziert. Bitte beachte unsere Richtlinien zum Erstellen von Kommentaren.
4. Du verfügst nicht über die nötigen Schreibrechte bzw. wurdest gebannt.
Bei Fragen oder Problemen nutze bitte das Kontakt-Formular.
Nur angemeldete Benutzer können kommentieren und bewerten.
Nur angemeldete Plus-Mitglieder können Plus-Inhalte kommentieren und bewerten.