PRAM: Schneller und langlebiger als Flash - Samsung mit neuem Speichertyp

Samsung könnte mit seinem neuen Phase-Change-RAM bald für deutlich schnelleren, nichtflüchtigen Speicher in vielen Geräten sorgen.

von Georg Wieselsberger,
07.05.2009 13:46 Uhr

Samsung arbeitet schon seit Jahren an einem neuen Speicher namens PRAM (Phase-Change Random Access Memory). Bei PRAM werden Daten gespeichert, indem das Material der Speicherstellen seinen Zustand durch Wärme zwischen kristallin oder amorph (nicht kristallin) wechselt. Für den Erhalt der Daten ist keine Spannung notwendig. Gleichzeitig ist ein um den Faktor 30 schnellerer Zugriff auf die Daten als bei herkömmlichen NAND-Flashspeicher möglich, wie er beispielsweise in USB-Sticks oder SSDs zum Einsatz kommt. Die Lebensdauer soll zehn Mal höher sein.

Nun hat Samsung angekündigt, die ersten Chips mit einer Kapazität von 512 MB auszuliefern. Kunden oder Einsatzgebiete wurden von Samsung allerdings noch nicht genannt, denkbar sind zunächst mobile Geräte.

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