Hewlett-Packard hat laut einem Bericht der EETimes große Fortschritte bei der Entwicklung von Memristoren gemacht. Man verstehe nun genau, wie man diese herstellen müsse, um bestimme Verhaltensweisen der Memristoren zu erreichen. Zur Zeit baut HP einzelne Schaltkreise, will aber schon nächstes Jahr erste RRAM-Prototypen auf Memristor-Basis vorstellen. Der Speichermarkt sei ein kurzfristig erreichbares Ziel mit viel Potential.
Fast nach Science-Fiction hören sich aber weitere Möglichkeiten an, die HP ins Auge fasst. So könnten große Memristoren-Arrays mit einstellbaren Widerständen zu Lernfähigkeiten führen, die denen des menschlichen Gehirns ähneln. Während im Gehirn Synapsen durch den Fluss von Elektrizität gestärkt werden, sinkt in Memristoren durch Stromfluss der Widerstand. So aufgebaute neuronale Netzwerke könnten lernen, sich anzupassen, indem sie den Stromfluss lenken. Das langfristige Ziel sei es, Kontroll-Schaltkreise zu entwickeln, die selbständig lernen. Allerdings benötigen analoge Schaltkreise mit elektronischen Synapsen noch mindestens fünf weitere Forschungsjahre. Mit Produkten ist erst in einem Jahrzehnt zu rechnen.
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