Es kommt etwas Bewegung in die Speicherforschung - angeführt von Intel: Auf der »Intel Connection Japan« genannten Veranstaltung hat das Unternehmen einen ersten Prototypen des »ZAM«-Speichers (Z-Angle Memory) vorgestellt.
Das Ziel ist ambitioniert: Die neue Technologie soll nicht weniger als den aktuell dominierenden High Bandwidth Memory (HBM) in KI-Rechenzentren ablösen.
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Ein riesiges Vorhaben
Der Clou an der neuen Technik liegt in der Architektur. Anders als herkömmlicher DRAM, der auf vertikale Durchkontaktierungen (TSVs) setzt, nutzt ZAM sogenannte »Z-Angle Interconnects«.
- Diese diagonal verlaufenden Verbindungen sollen es ermöglichen, die Speicherchips deutlich dichter zu stapeln, ohne dass sie überhitzen.
- Nach Angaben von Intel fungiert diese Struktur als eine Art thermischer Kamin, der Wärme effizienter aus dem Stapel leitet als bisherige Lösungen.
Das Resultat klingt enorm: Laut Wccftech soll ein einziger ZAM-Chip bis zu 512 GB Speicherkapazität bieten – ein Vielfaches dessen, was aktuelle HBM-Module auf dem Kasten haben. Gleichzeitig soll der Energieverbrauch im Vergleich zu HBM um 40 bis 50 Prozent sinken, während die Produktionskosten etwa 60 Prozent niedriger liegen sollen.
Ob mit den versprochenen Vergleichswerten der noch aktuelle HBM3E-Standard oder bereits die jüngst von Samsung gestartete HBM4-Produktion gemeint ist, geht aus dem Artikel indes nicht hervor.
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Massenproduktion noch in weiter Ferne
Intel selbst hält sich mit großen Prognosen im offiziellen Blogeintrag zurück und legt den Fokus lieber auf den Kooperationspartner. Bei diesem handelt es sich um »Saimemory«, einer Tochtergesellschaft des japanischen Telekommunikations- und Medienkonzerns SoftBank.
Dieser Konzern soll auch primär für die Kommerzialisierung von ZAM zuständig sein, wie Intel weiter erklärt. Erste funktionsfähige Muster sollen im kommenden Jahr anlaufen, während die vollständige Massenproduktion für das Jahr 2030 angepeilt wird.
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