Die Forscher halten Phase-Change-Memory (PCM) für revolutionär, denn selbst die schnellsten Solid-State-Laufwerke, die in Datenzentren verwendet werden, würden durch PCM um den Faktor 7 übertroffen. Gerade die Verarbeitung von großen Datenmengen würde durch den neuen Speicher enorm erleichtert.
Die erste Generation der PCM-Chips kann jeweils bis zu 1,1 GByte pro Sekunde lesen und bis zu 371 MByte pro Sekunde schreiben. Das ist bis zu sieben Mal schneller als die in SSDs verwendeten Flash-Speicherchips. Gleichzeitig benötigt PCM weniger Energie und erlaubt noch schnellere Zugriffszeiten. Die zweite PCM-Generation soll in sechs bis neun Monaten fertiggestellt werden und könnte in wenigen Jahren marktreif sein.
Allerdings müsste sich dann laut Ansicht der Forscher auch die Software ändern, die heute noch auf die relativ langsamen Festplatten ausgelegt sei. Für PCM müsste fast jeder Aspekt der Datenverarbeitung in einem Computer überdacht werden. Phase-Change-Memory verwendet kristalline Strukturen, die durch das Anlegen von Spannung in einem amorphen Zustand wechseln oder wieder kristallisieren und zum Erhalt der Daten keine Energie benötigen. Zum Auslesen wird geringere Spannung verwendet.
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