Samsung hat mit der - eigentlich schon für Juni geplanten - großen Produktion von Phase Change Random Access Memory (PRAM) begonnen. Es handelt sich dabei um einen nichtflüchtigen Speicher wie Flash, der eine sogenannte Chalkogenid-Legierung einsetzt. Diese kann einen geordneten, kristallinen oder einen amorphen, unregelmäßigen Zustand annehmen. Die so entstehenden hohen und niedrigen Widerstände dienen als Speicher. Das Verändern der Zustände wird durch unterschiedlich langes Anlegen von Strom und damit erzielten, verschieden hohen Temperaturen erreicht, das Auslesen erfolgt in wesentlich geringerer Stärke, die keine Veränderung hervorruft.
PRAM soll bis zu 30 Mal schneller ausgelesen, bis zu 10 mal schneller gelöscht und bis zu 7 Mal schneller wiederbeschrieben werden als bisheriger Flash-Speicher. Auch die Anzahl der Schreibzyklen und damit die Lebensdauer haben sich verzehnfacht. Samsung erwartet, dass PRAM bald ein Hauptprodukt des Konzerns sein wird.
Samsung - Schnelles PRAM soll Flash ersetzen
PRAM ist ein neuer, nichtflüchtiger Speicher, der in allen Belangen dem bisherigen Flash-Speicher überlegen ist. Er kann deutlich schneller gelesen, beschrieben und gelöscht werden und bietet eine 10x höhere Lebensdauer.
Nur angemeldete Benutzer können kommentieren und bewerten.
Dein Kommentar wurde nicht gespeichert. Dies kann folgende Ursachen haben:
1. Der Kommentar ist länger als 4000 Zeichen.
2. Du hast versucht, einen Kommentar innerhalb der 10-Sekunden-Schreibsperre zu senden.
3. Dein Kommentar wurde als Spam identifiziert. Bitte beachte unsere Richtlinien zum Erstellen von Kommentaren.
4. Du verfügst nicht über die nötigen Schreibrechte bzw. wurdest gebannt.
Bei Fragen oder Problemen nutze bitte das Kontakt-Formular.
Nur angemeldete Benutzer können kommentieren und bewerten.
Nur angemeldete Plus-Mitglieder können Plus-Inhalte kommentieren und bewerten.