Speicherchips werden grundsätzlich in zwei verschiedene Typen unterteilt: SDRAM (»Synchronous Dynamic Random Access Memory«) und Flash-basierter Speicher (»Flash-EEPROM«). Die beiden Typen findet ihr regulär als DDR-SDRAM in eurem Arbeitsspeicher (RAM) oder als NAND-Flash in euren Solid State Drives (SSD) wieder.
Forscher arbeiten seit geraumer Zeit an einem dritten Speichertyp, der die jeweiligen Ideen hinter den Speicherchips vereinen soll: »Selector-only memory« (SOM).
Schon seit etwas mehr als einem Jahr wird SOM als Speichertyp gesehen, der als effektives Bindeglied zwischen den hohen Transferraten von RAM und der hohen Speicherdichte von Flashspeicher fungieren soll. Speicherhersteller Sk Hynix hat im Mai 2023 hierin die Zukunft von »ultrafeinen Prozessen« gesehen.
- Samsung hat nun einen Fortschritt in der Entwicklung von Selector-only memory angekündigt: Wie das Fachmagazin eeNews Analog erklärt, hat der südkoreanische Hersteller mehr als 4.000 Materialkombinationen untersucht, die auf ihre Tauglichkeit für SOM geprüft wurden.
- Bei diesen Materialkombinationen wurden bevorzugt Chalkogenide gewählt, die sowohl als Selektor als auch Speichermedium fungieren können. Daraus folgt eine neue Variante des nichtflüchtigen Speichers.
- Damit würde SOM bei Abschaltung der externen Energieversorgung den Dateninhalt beibehalten können.
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Diese wurden mithilfe von Simulationen auf 18 vielversprechende Kombinationen heruntergebrochen, die sich laut Samsung wohl am besten für den neuen Speichertyp eignen sollen.
- Der Fokus lag hierfür unter anderem auf dem Spannungs-Delta zwischen dem Ein- und Aus-Zustand des Bauelements, das für die Zuverlässigkeit des Speichers unabdinglich ist.
- Die Ergebnisse will das Unternehmen auf der IEDM 2024 (»International Electron Devices Meeting«) im kommenden Dezember vorstellen.
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